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    芯片突圍戰現已打響,存儲芯片元年能否到來?

    芯片突圍戰現已打響,存儲芯片元年能否到來?

      2018年第一季度,三星繼續超越英特爾成為全球半導體市場的老大。在過去的幾年中,三星半導體業務表現異常出現,根據報告結果來看,2018年一季度三星的芯片銷售額為186億美元,超越排名第二的英特爾23%,后者的銷售額為158億美元。三星的增長率高達43%,而英特爾的增長率只有11%。另外臺積電、SK海力士和美光分別位列三到五名。面對這樣的成績,我們中國半導體市場又是怎么樣的呢?

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      自從美國制裁中興時間之后,打造“中國芯”的呼聲越來越高。在芯片市場,中國在芯片設計、制造能力和人才隊伍方面還存在著差距,90%依賴進口,所以,沒有自己的國產自主芯片,就意味著要永遠受制于人。

      芯片現狀,處于全方位落后

      中國目前受制約的主要是通用芯片和器件。所謂通用芯片包括,電腦服務器CPU、可編程器件FPGA、數字信號處理器DSP、存儲等。而這些芯片的供應商以美系廠商為主,CPU:英特爾Intel,FPGA: Xilinx和Altera,DSP:德州儀器TI。這些也是我國亟需突破的高端芯片技術,我們沒有核心技術,在產業就容易被遏制。

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      除此之外,存儲芯片對制造工藝要求極高,同樣也處于一個高度壟斷的市場,主要由韓國的三星、海力士和美國的美光等占據。其中三星居壟斷地位,2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。

      而中國存儲芯片發展,目前,已形成長江存儲(3D NAND)、福建晉華(利基型DRAM)、合肥長鑫(移動式DRAM)三大陣營。雖然紫光集團旗下的長江存儲正試圖實現中國存儲芯片的突破,但離真正的規模量產仍需時間。

      發展自主芯片刻不容緩

      為了擺脫長期以后對對海外芯片的依賴,未來10年中國將在芯片領域投入1500億美元,以在芯片設計和制造領域占據領先地。但是,這個領域長期被美企業把持,在寡頭壟斷的行業格局下,對技術、人才的封鎖,商業政策的限制,成為中國發展芯片產業道路上的重重關卡。更何況國外芯片巨頭也在拼命追趕。三星、英特爾每年的研發費用就高達數百億美元。

      目前,中國芯片行業落后,主要是因為中國在半導體領域,從原料加工到制造的科技實力都比較有限。即使如華為、小米都可以推出自研SoC,但是在更上游的比如CPU(中央處理器)依舊依賴英國ARM公司的解決方案,還沒有能力獨立推出全自主化的SoC。所以,發展半導體芯片產業是中國科技真正崛起的必經之路。

      但是,想要大力發展半導體及其相關業務,我們必須憑借市場、資本和人才即企業家精神的三大因素共同發力。因此,解決芯片被掣肘的現狀,不是一家企業的任務、也絕不是一家企業之力能完成的,破局需要國家的人才支持和戰略部署,才有可能把芯片產業發展起來。

      存儲芯片元年能否到來?

      在發展國產自主芯片上,國內相關企業動作頻頻,尤其是在存儲芯片上,積極加大投資或釋放產能,以期填補供應鏈缺口,進一步擴大市場份額。

      近日,有媒體報道,長江存儲從全球最大的芯片機器制造商、荷蘭的阿斯麥(AMSL),訂購了一臺最新型的使用EUV(極紫外線)技術的芯片制造機器光刻機,這一設備預計將于2019年年初交付。

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      資料顯示,光刻機是生產大規模集成電路的核心設備,制造和維護需要高度的光學和電子工業基礎,因此,高端光刻機號稱是世界上最精密的儀器,分辨率通常在十幾納米至幾微米之間,對芯片工藝有著決定性的影響。

      目前,中國晶圓廠所需高端光刻機完全依賴進口,而長江存儲購買的荷蘭ASML光刻機是波長為193nm的深紫外光,采用沉浸式設計,可生產20-14nm工藝的3D NAND閃存晶圓。分析人士認為,如果此次采購能夠成功,將有助于推動中國自主研發半導體生產。隨著光刻機的到位,2018年四季度,中國首批擁有完全自主知識產權的32層3D NAND閃存芯片有望實現量產。

      雖然現狀我們存儲芯片的技術落后三星、臺積電兩到三代,現在還在28nm和14nm上掙扎,但是從種種舉措上來看,中國必然要加大資金投入和政策引導,在國內打造相對完整的生態鏈,彰顯了其努力追趕的決心。

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      未來幾年,從芯片市場的發展來看,隨著高端光刻機的到位,國產自研芯片講不斷突破,在突破高性能芯片的門檻之后,相信以中國人的聰明才智,中國芯片技術追趕上世界先進水平只是時間問題。

     


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